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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2484
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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