RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
53
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
53
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2319
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link