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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
85
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
85
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
1277
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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