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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Puntuación global
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 12.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Razones a tener en cuenta
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 24
    En -9% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    24 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 12.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2402 left arrow 1886

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Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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