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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2963
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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