RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
71
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link