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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
71
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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