RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
71
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link