RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
71
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link