RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link