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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
54
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
53
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2333
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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