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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
52
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2349
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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