RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
52
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
2349
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link