RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
52
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
3046
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link