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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3318
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
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