RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3318
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link