RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3318
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link