RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
20.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
16.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
45
En -165% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
17
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3550
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link