RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3076
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link