RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
17.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3929
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link