RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2213
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link