RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3323
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link