RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,935.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2489
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link