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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3064
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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