RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
53
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,752.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR2
Latencia en PassMark, ns
33
53
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
4,200.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,752.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
547
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link