RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2087
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link