RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3392
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link