RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3061
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link