RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2452
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link