RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
66
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
53
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2319
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link