RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2616
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link