RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2616
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link