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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
66
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
53
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2319
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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