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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2537
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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