RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology C 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology C 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
65
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link