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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2806
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905595-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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