RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2806
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link