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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En 43% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2660
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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