RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
40
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2031
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link