RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En -134% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
3594
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link