RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2327
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link