RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
14.8
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2481
2327
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link