RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
1949
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link