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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 45
    En -22% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 9.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1949

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Memoria RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Memoria RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
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