RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    12.3 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 45
    Около -22% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 9.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1992 left arrow 1949

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
модули RAM