RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.3 left arrow 9.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 45
    Wokół strony -22% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    45 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.3 left arrow 9.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1992 left arrow 1949

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Pamięć RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Pamięć RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Pamięć RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pamięć RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Pamięć RAM