RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1949
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link