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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
68
En 59% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
68
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2007
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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