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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3501
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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