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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
2271
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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