G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Wokół strony 13% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.4 left arrow 9.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 7.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.4 left arrow 9.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.5 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2014 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania