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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En 53% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
59
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
1954
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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